汉源微与天工大联合实验室揭牌仪式成功举办
2024年6月29日上午，由广州汉源微电子封装材料有限公司和天津工业大学主办的“功率半导体模块封装关键材料与工艺联合实验室”揭牌仪式在天津工业大学成功举办。来自国内知名半导体器件上下游企业、高校、科研院所、社会团体的领导、专家共计30多人出席活动。
▲联合实验室牌匾
01 揭牌仪式
广州汉源微与天津工业大学“功率半导体模块封装关键材料与工艺”联合实验室的揭牌仪式上，天津工业大学工业技术研究院院长王亮致辞，对联合实验室的成立表示祝贺，充分肯定联合实验室是双方深化“产学研”合作的里程碑，是加强科研创新和科技成果转化的重要平台，是探索和发展科研新质生产力的重要体现。
▲天津工业大学工业技术研究院院长王亮作欢迎致辞
广州汉源微电子封装材料有限公司董事长陈明汉表示：
在电子信息技术飞速发展的今天，高性能的半导体封装材料对于提升整个产业链的核心竞争力至关重要。广州汉源自创立以来，始终专注于电子和半导体封装焊料的研发与生产，汉源不断投入研发力量，致力于推动半导体封装材料的创新与发展。天津工业大学，作为一所历史悠久、实力雄厚的高等学府，在半导体材料领域拥有深厚的学术积累和丰硕的科研成果。今天，汉源微与天津工业大学携手合作，共同成立联合实验室，旨在加强产学研深度融合，推动第三代半导体关键材料与工艺研发及测试。这是一次强强联合、互利共赢的战略合作，必将为我们双方带来更加广阔的发展空间。面向未来，联合实验室将从加强技术攻关、推进成果转化、培养优秀人才三方面共同努力和协作，将联合实验室发展成为半导体封装材料领域的重要科研平台和创新高地。
▲汉源微陈明汉董事长（左）和天工大梅云辉教授（右）共同揭牌
02 参观实验室
揭牌仪式结束后，在场所有参会嘉宾在梅云辉教授的带领下参观了联合实验室，并交流了实验室的现有条件、研究开发能力、人才结构等内容。
汉源微、天工大联合实验室参观、交流
联合实验室所在科研中心固定资产投资近1.5亿元，可以完成以IGBT和MOSFET为代表的先进功率模组封装、关键封装材料及工艺开发与服务、测试与失效分析等，主要体现于：
先进功率器件封装方案设计能力；
先进封装新材料导入、技术支持能力，协助客户进行关键工艺方案开发；
提供完整可靠的先进封装工艺与制造解决方案；
新型半导体器件性能、可靠性测试与失效分析。
03 座谈会
中国电器工业协会电力电子分会常务副理事长肖向锋、功率半导体行业联盟常务副秘书长舒丽辉出席揭牌仪式并在座谈会上发表讲话，肖向锋副理事长分享了“产学研”合作对产业创新发展的重要性，对联合实验室的发展寄予厚望；舒丽辉副秘书长表示联合实验室的建立是功率半导体行业的大事，对行业发展将起到十分重要的作用。
▲肖向锋副理事长（左）、舒丽辉副秘书长（右）发表讲话
随后，广州汉源新材料股份有限公司总经理张雪松、天津工业大学梅云辉教授围绕联合实验室科技创新、人才培养、发展规划以及理论与实践结合、服务社会等话题进行了更进一步沟通交流。
▲汉源股份总经理张雪松（左）、天工大梅云辉教授（右）发言
▲座谈会交流现场
联合实验室将以此次正式启动为契机，准确把握创新前沿方向，专注卓越和创新，致力促进合作和跨学科研究，为实现先进功率模块封装材料与工艺技术的不断创新和产业化，共同推动先进半导体器件封装材料和工艺技术发展注入活力。
▲参会人员合影式启动为契机，准确把握创新前沿方向，专注卓越和创新，致力促进合作和跨学科研究，为实现先进功率模块封装材料与工艺技术的不断创新和产业化，共同推动先进半导体器件封装材料和工艺技术发展注入活力。联合实验室将以此次正式启动为契机，准确把握创新前沿方向，专注卓越和创新，致力促进合作和跨究，为实现先进功率模块封装材料与工艺技术的不断创新和产业化，共同推动先进半导体器件封装材料和工艺技术发展注入活力。
