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无压烧结银膏：解锁功率模块热管理与可靠性
2026-03-11
在碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）器件向高压、高频、高温应用场景快速迈进的今天，功率模块的封装技术正面临严峻考验。传统焊料因热导率不足与耐高温性能瓶颈，已成为制约系统功率密度提升的关键短板。
汉源微电子推出的无压烧结银膏NSP-1310，凭借突破性的材料性能与温和的工艺条件，为第三代半导体封装提供了理想的连接解决方案。
汉源微电子无压烧结银膏NSP-1310，具备200 W/m·K的超高热导率，无需额外施加压力，仅需在250℃的温和工艺下，即可形成致密可靠的银键合层，完美适配SiC/GaN器件的高散热需求。
-55℃~200℃ 的严苛温循条件下，无压烧结银膏NSP-1310可承受超过1000次热冲击而不出现界面开裂，从根本上解决了传统焊料因热应力集中而引发的失效问题，为功率模块的长期服役可靠性提供了坚实保障。
汉源微电子的NSP-1310无压烧结银膏，以详实的烧结微观形貌图与热阻对比数据作为技术支撑，为工程师打通了从材料选型到工艺优化的全链路路径，是构建新一代高功率密度、高可靠性功率模块的核心封装材料。
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