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研发实力
研发团队
汉源微电子研发及工程技术人员85人，其中教授级高工6人，硕士博士30人，大专及以上学历人员占研发团队90%以上。
对外合作
汉源微电子坚持独立创新与合作创新相结合，与天津大学、天津工业大学、中山大学、华南理工大学、广东工业大学、香港应用科技研究院、广东省科学院(原广州有色金属研究院)、中国赛宝实验室等高校及科研院所建立了紧密的合作关系，充分依靠科研院所技术力量，实现优势互补及资源共享。
2016年，汉源微电子联合天津大学材料学院攻克高导热烧结银膏技术被美日德垄断“卡脖子”难题，开展"产学研"合作的纳米银膏项目，技术达到了行业先进、国内领先水平。
2024年，汉源微电子与天津工业大学共建"功率半导体模块封装关键材料与工艺"联合实验室，并合作申报国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项；
研发保障
汉源微电子研发中心总面积约1830平方米，主要用于研发场地及办公场所，具体包括：研发办公室300平方米、专业实验室400平方米（含万级洁净实验室）、中试车间1000平方米、分析检测中心180平方米，配备台式扫描电子显微镜、高阻测试系统、全自动视觉锡膏印刷机、电感耦合等离子体原子发射光谱仪、闪测仪、傅里叶变换红外光谱仪、超声扫描显微镜等高端设备，可开展材料成分分析、热学性能测试、力学可靠性验证等全项检测。
标准制定
2016年 汉源微电子参与制定1项IPC国际行业标准;
2017年汉源微电子主笔起草行业首个IGBT组装用焊料联盟标准，2020年该标准升级为行业标准的流程获批立项。
2024年汉源微电子主笔起草的国标《预成形软钎料》获批准发布实施。
2024年汉源微电子参与制定国标《航空电子过程管理 含无铅焊料航空航天及国防电子系统 第22部分：技术指南 第23部分：无铅及混装电子产品返工修复指南》获批准发布实施；
2025年汉源微电子主笔起草的团标《氮化镓功率器件质量分级》获批准发布实施；
2025年汉源微电子主笔起草的行业标准《绝缘栅双极型晶体管（IGBT）用焊片》获批准发布实施；
2025年汉源微电子主笔起草的团标《芯片封装质量等级评估》获批准发布实施；
2025年汉源微电子参与修订的国标《铝基钎料 第1部分：实心钎料》获批准发布实施；
2025年汉源微电子参与制定的团标《碳化硅（SiC）功率器件封装烧结设备技术规范》获批准发布实施；
