汉源微电子低温烧结铜膏:以铜代银,高性能低成本,推进功率互连铜时代

在新能源汽车、航空航天、通讯、光电子器件等领域快速推动下,功率模块向着集成微型化、高频率、耐高温高压、高功率密度、长寿命和低成本方向发展。模块中DBC/AMB基板与散热底板间的互连层是散热核心,对热阻与可靠性起到了至关重要的作用。传统的锡基焊料只能满足低结温器件的要求,服役温度需低于工艺温度。银烧结性能虽好,但成本高、存在电迁移和硫化腐蚀问题,且高端产品依赖进口。

汉源微电子潜心研发的低温烧结铜膏,凭借高性能、低成本与国产化供应链优势,为功率模块底层互连提供了理想替代方案,助力功率器件互连“铜时代”前行。

核心性能对标高端银膏,满足车规级可靠性


汉源微电子低温烧结铜膏在200~250℃低温条件下烧结,可直接沿用现有银烧结产线,无需设备改造。烧结后形成致密连续层,关键指标表现亮眼:
  1. 界面结合强度:铜银界面连接强度≥60MPa,铜铜界面连接强度≥79MPa。这一数值与银膏近似,能够从容应对冷热冲击、高频振动和1000次温度循环的严苛考验,互连层几乎不开裂、不分层,完美适配新能源和工业级器件的长寿命要求。
  2. 导热能力:烧结层稳定热导率为193 W/(m·K),与银膏相当。高效的散热通道可快速导出芯片热量,降低模块温度,延缓器件老化,尤其满足SiC/GaN等高功率密度应用的热管理需求。
  3. 长期可靠性:铜材料从根本上规避了银膏固有的电化学迁移和硫化腐蚀风险。即使在高温高湿的复杂环境中,也不会因导电枝晶生长而引发短路,模块长期服役稳定性显著优于传统银烧结方案,大幅延长了使用寿命。
此外,该铜膏工艺窗口宽泛,兼容全规格DBC/AMB基板,适配风冷、水冷等多种散热板,大面积贴合工艺稳定性优异,切换门槛极低。

头部客户验证落地,量产性能全面达标


目前,汉源微电子低温烧结铜膏已批量送达多家功率半导体头部企业,完成高温时效、高低温冷热冲击、1000次温度循环等全维度可靠性测试。空洞率、剪切强度、稳态热阻等核心参数表现稳定,全部达到量产交付标准。产品覆盖新能源汽车电控IGBT模块、储能变流器PCS、工业大功率变频器以及SiC/GaN第三代半导体封装等全赛道应用场景,顺应功率器件主流升级方向。
高性能低成本、国产化供应链保障
功率互连铜时代加速前行
功率器件产业正加速向高可靠、低成本、自主化方向升级,互连材料从“银”向“铜”的切换已成为明确的行业趋势。汉源微电子潜心打造的低温烧结铜膏,不仅以比肩银膏的性能和远低于银膏的成本通过了车规级严苛验证,更依托完全国产化的供应链,从源头保障了交付安全与成本可控。伴随头部客户批量应用全面落地,汉源微电子正以扎实的量产实力,将“铜时代”从概念推向规模化应用,为功率互连提供高性能、低成本、自主可控的国产化解决方案。

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