烧结银材料因其优异的导热和导电性能，被广泛应用于宽带隙半导体器件的封装互连。然而，在实际的大面积烧结互连过程中，传统的烧结银膏体常常面临一个痛点：银颗粒容易发生沉降，导致银膏分布不均匀，进而引发烧结层倾斜、分层甚至开裂，最终造成器件失效。

针对这一行业难题，广州汉源微电子封装材料有限公司自研创新预成型银膜制备技术。该技术通过优化烧结银膜浆料配方，并采用流延法制备，成功推出烧结银膜，为高可靠性功率半导体封装提供了全新的解决方案。

告别沉降，提升良率

汉源微烧结银膜通过浆料配方优化，显著提高了导热金属粉颗粒之间的粘合力，避免成膜过程中发生开裂，提升了银膜表面平整度，有效保证银膜产品的烧结性能。

支持卷带形式包装（载带规格0.1mm聚酯），也可根据实际需求加工成片状，极大地提升了产线操作的便利性。

性能优异，适配严苛工况

高纯度与高致密：孔隙率仅约10%，相对密度达40~50%，密度>8.4g/cm³。

热匹配性佳：热膨胀系数为20x10⁻⁶/℃，能与芯片材料实现良好的热匹配，降低热应力。

耐高温性能：熔点高达960℃，确保器件在高温工况下的稳定运行。

精密厚度控制：产品厚度精准控制在50±5μm，外观呈银灰色。

温和工艺，高效互连

银膜转印条件：温度125~150℃，压力1-3MPa，时间仅需1-3秒。

烧结条件：温度250℃，压力15MPa，时间3~5min。

连接强度与导电性：芯片粘接强度可达80MPa，电阻率

高导高强，稳定可靠

在实际应用验证中，汉源微烧结银膜在金-金界面，于250℃、15MPa压力下烧结5min，烧结后形成的连接层：热导率 ≥200W/(m·K)，提供极佳的散热通道；剪切强度 ≥60MPa，满足严苛的机械可靠性要求。

【关于汉源微电子】

广州汉源微电子封装材料有限公司，1999 年创业，深耕高端精密焊料、烧结互连材料二十余年，拥有近百项自主专利，产品配套新能源汽车、AI 服务器、储能、半导体、航空航天等头部客户，可提供封装材料定制、工艺、检测一站式解决方案。