CN 
随着碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）等第三代半导体的崛起，功率器件正朝着更高功率密度、更高工作温度、更高可靠性的方向狂奔。然而，在这场效率革命的背后，一个“隐形瓶颈”正悄然浮现——互连封装材料。
传统锡基焊料在高温下逐渐“疲软”，无法胜任极端工况；而高性能纳米银烧结材料虽表现优异，却因成本高昂、电化学迁移等可靠性风险，难以大规模普及。
市场迫切需要一种兼具高性能与经济性的封装材料。
烧结铜膏：低温连接，高温服役
烧结铜膏正在成为这一难题的理想答案。它具备“低温烧结、高温服役”的独特优势，同时拥有优异的导热与导电性能，正迅速成为全球功率封装领域的研究与应用焦点。
以汉源微电子推出的烧结铜膏为例，核心参数：
芯片连接强度：≥50MPa
45mm*45mm大面积铜铜连接强度：≥100MPa
热膨胀系数：17.0×10⁻⁶/°C
电阻率：3.0×10⁻⁶Ω·cm
熔点：1083°C
粒径：≤1μm
粘度：10~300000cps
烧结温度：≤250°C
烧结形式：有压烧结
这些指标不仅满足高可靠性功率封装的需求，更在实际工艺中展现出优异的兼容性。
工艺友好，适配性强
随着碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）等第三代半导体的崛起，功率器件正朝着更高功率密度、更高工作温度、更高可靠性的方向狂奔。然而，在这场效率革命的背后，一个“隐形瓶颈”正悄然浮现——互连封装材料。
传统锡基焊料在高温下逐渐“疲软”，无法胜任极端工况；而高性能纳米银烧结材料虽表现优异，却因成本高昂、电化学迁移等可靠性风险，难以大规模普及。
市场迫切需要一种兼具高性能与经济性的封装材料。
烧结铜膏：低温连接，高温服役
烧结铜膏正在成为这一难题的理想答案。它具备“低温烧结、高温服役”的独特优势，同时拥有优异的导热与导电性能，正迅速成为全球功率封装领域的研究与应用焦点。
以汉源微电子推出的烧结铜膏为例，核心参数：
芯片连接强度：≥50MPa
45mm*45mm大面积铜铜连接强度：≥100MPa
热膨胀系数：17.0×10⁻⁶/°C
电阻率：3.0×10⁻⁶Ω·cm
熔点：1083°C
粒径：≤1μm
粘度：10~300000cps
烧结温度：≤250°C
烧结形式：有压烧结
这些指标不仅满足高可靠性功率封装的需求，更在实际工艺中展现出优异的兼容性。
工艺友好，适配性强
挑战仍在，但曙光已现
当然，烧结铜膏并非没有挑战。当前主流技术仍面临三大难题：
工艺窗口狭窄：如何在≤230°C、≤10MPa条件下实现快速、致密烧结？
抗氧化能力弱：铜颗粒极易氧化，如何在空气中保持活性？
分散均匀性差：如何抑制团聚，确保膏体一致性？
针对这些难题，汉源微电子已取得关键突破：抗氧化与分散均匀性问题已成功攻克。而工艺窗口狭窄这一核心挑战，目前正处于重点攻关阶段，有望在不久攻克。
应用前景广阔
从航空航天到新能源汽车，从风光储能到半导体封装，再到特高压输电，烧结铜膏正逐步进入多个高可靠性、高功率密度的关键领域。
第三代半导体的浪潮已至，封装材料不能成为短板。烧结铜膏，正以“破局者”的姿态，引领下一代功率封装的新方向。
