近日，韩国政府正式落地“超级创新经济项目”，划拨5000亿韩元国家资金专项攻关SiC/GaN下一代功率半导体，并将其列为未来三大经济增长引擎之首。同期，英特尔CEO陈立武在最新访谈中明确表态：传统摩尔定律逼近物理极限，英特尔未来破局之道在于“先进封装+新材料体系”的系统级创新，已在氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）三大宽禁带半导体方向均有投资。

       一个国家的战略级押注，叠加一个芯片巨头的重磅布局，印证了一个趋势：功率半导体的未来，决胜于封装与互连材料。而在这个关键赛道上，汉源微电子（汉源新材料）早已躬身入局。

        始创于1999年、深耕电子材料超25年的汉源微电子，已成长为国家级专精特新“小巨人”企业，产品广泛应用于IGBT/SiC/GaN功率模块、新能源汽车、光通信、AI服务器、航空航天等高可靠性领域。

        针对功率器件封装，汉源构建了“焊片+烧结银/铜”完整产品矩阵高可靠解决方案：

一、IGBT用高性能焊片——汉源是IGBT用焊片行业标准（SJ/T 11971-2025绝缘栅双极型晶体管（IGBT）用焊片）的主笔起草单位。

       SACX新型强化焊片，通过添加特定微量元素，抗拉强度达64MPa、屈服强度49MPa，比传统SAC305分别提升73%和58%；低回流峰值230~235℃，通过-40℃到150℃区间1000次温度循环试验，焊料层无开裂退化，专为车轨级功率器件与散热器大面积焊接设计，大面积焊接空洞率整体

防倾斜焊片（专利ZL2016 11 1036462.4）内置两根平行金属线，有效防止回流后焊料层倾斜，是真空烧结中对倾斜控制严苛场景的理想选择。

二、烧结银与烧结铜——面向SiC、GaN等第三代半导体高温高频应用，汉源推出烧结银膏、烧结银膜及烧结铜膏。有压烧结银膏剪切强度高、热导率优异；无压烧结银膏最低200℃即可实现致密连接；烧结银膜孔隙率仅约10%、密度＞8.4g/cm³。烧结铜膏，已通过客户端多次验证，芯片连接强度≥50MPa，大面积铜-铜界面连接强度≥80MPa，为功率模块提供兼具性能与成本优势的“铜方案”。

三、金锡焊料——汉源创新推出“高效熔炼+精密成型”工艺体系，在确保金锡合金成分均匀、低氧含量的前提下，大幅提升生产效率与尺寸精度，产品空洞率低于3%，综合性能稳定，可比肩国际品牌。

四、涂覆型焊片——助焊剂含量精准可控（0.3~5%），相比锡丝和锡膏具有空洞率低、飞溅少、无烟雾、助焊剂残留轻等显著优势。除广泛应用于PAM模块外，另成功应用于服务器汇流排焊接，确保了大电流铜排-主板连接，解决高功率CPU/GPU瞬态热阻和电流传输难题，确保高效电力传输与能效提升。

从韩国的“举国押注”，再到英特尔的重磅布局——先进封装与新材料，正在重新定义功率半导体的边界。

汉源微电子，以超25年技术积淀与完整产品矩阵，为全球功率半导体封装提供高可靠、高性能的“材料解决方案”。