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金属烧结材料的应用与开发使IGBT模块制造发生了哪些变化
2007-11-29
金属低温烧结材料内含Ag金属，故而它的耐高温能力比较强，同时还可满足某些IGBT功率大器件的粘结强度要求。这也是许多MOSFET功率器件生产厂家对它青睐有嘉的根本原因之一，现在就金属烧结材料的应用与开发使IGBT模块制造发生了哪些变化作简要阐述：
1. 改进了IGBT模块散热差的问题
金属低温烧结材料在IGBT模块制造作业中发挥了巨大作用。传统的IGBT模块即使选用焊膏或预成型钎料薄膜，并通过回流焊工艺熔化与固化，但是这种制造方法容易导致IGBT模块的热量传输通道功能不良，而金属低温烧结材料则可将银颗粒的尺寸减小到纳米级，从而达到提升IGBT模块散热性能的目的。
2. 改进了IGBT模块使用寿命短的问题
选择高品质的金属低温烧结材料应用于IGBT模块制造中，大大有助于改进IGBT模块使用寿命短等问题。IGBT模块中含有多个不同厚度的芯片，采用传统方法进行焊接容易导致某些芯片的结点温度被限制，而金属低温烧结材料可将纳米级的烧结颗粒推入到模块中。
3.改进了IGBT模块的热电导率较差的问题
金属低温烧结材料对于低温低压环境具有较高的适应能力，将它应用于IGBT模块中将大大有助于改进IGBT模块的热电导率较差等问题。因为这种材料本身的热导率与电导率就要高于其它材料。
金属低温烧结材料使得IGBT模块获得了飞跃性提升。部分高品质的低温烧结材料更是成为引流吸粉的关键，事实上金属烧结材料的应用与开发不仅改进了IGBT模块散热差与使用寿命短等问题，而且还改进了IGBT模块的热电导率较差等问题。
