低熔点157℃,可填充微隙,高导热82W/m·k,降低接触热阻,具有优异延展性、长期稳定性、冷焊能力及抗热疲劳特性。
汉源微电子自研高纯铟片,低熔点157℃,可填充微隙,高导热82W/m·k,降低接触热阻,具有优异延展性、长期稳定性、冷焊能力及抗热疲劳特性。
适用于高功率芯片,尤其服务器CPU/GPU散热连接,可有效解决因传统硅脂导热不足、易老化及热阻过高导致的散热瓶颈问题。可为高算力服务器、功率半导体等领域,提供低空洞高可靠先进封装散热解决方案,助力实现高效散热与系统长效稳定运行。
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